原子层沉积技术+电荷阱氮化物结构SKHynix:3DNAND极限是600层堆叠

SK Hynix 于 2021 IEEE 国际储存研讨会上,执行长 Seok-Hee Lee 发表主题演讲中指出,现时 NAND Flash 的发展重点并不是更先进的制程,也不是 QLC、PLC 技术,而是堆叠层数将不断增加,现时 SK Hynix 已量产 176 层的 NAND Flash,原本预计 3D 堆叠极限会是约 500 层,但 SK Hynix 已找到新的技术将极限推展至约 600 层。

SK Hynix 于 2021 IEEE 国际储存研讨会上,执行长 Seok-Hee Lee 发表主题演讲中指出,现时 NAND Flash 的发展重点并不是更先进的制程,也不是 QLC、PLC 技术,而是堆叠层数将不断增加,现时 SK Hynix 已量产 176 层的 NAND Flash,原本预计 3D 堆叠极限会是约 500 层,但 SK Hynix 已找到新的技术将极限推展至约 600 层。

要做到 600 层的 3D NAND Flash,需要在技术方面进行更多创新突破,其中一个重点是加入原子层沉积 (ALD) 技术,能在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。

此外,为了解决薄膜应力 film stress 问题,SK Hynix 加入了独立的电荷阱氮化物 (CTN) 结构,解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰,电荷丢失问题。

更多的堆叠层数突破,意味着单颗 NAND Flash 颗粒容量可以达到 8TB 甚至更高,这确实有点吓人。

SK Hynix

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