TSMC 18 日于 ISSCC 2021 大会上透露了更多 TSMC 制程工艺的进展，据执行官 Mark Liu 指出 TSMC 3nm 制程技术进度超出预期，预期将会提前至 2021 年下半年正式试产、2022 年正式量产。
TSMC 18 日于 ISSCC 2021 大会上透露了更多 TSMC 制程工艺的进展，据执行官 Mark Liu 指出 TSMC 3nm 制程技术进度超出预期，预期将会提前至 2021 年下半年正式试产、2022 年正式量产。
据了解，无论是 TSMC 或是 SAMSUNG，半导体制程均已推进至 3nm 级别，技术研发基本上已完成，剩下来是产能和良率问题了，但 2nm 制程将会是 TSMC 的重大挑战，因为 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中导入 GAA 环绕闸极工艺，TSMC 做法则比较保守，选择在 2nm 制程才导入 GAA 环绕闸极工艺，所以 2nm 对 TSMC 来说将会是一次重要的技术世代。
与 5nm 制程相比， TSMC 3nm 的电晶体管密度提升70%，时脉提升 11% 或者功耗降低 27%，表现相当出色。
此外，TSMC 表示他们在 EUV 光源技术获得突破，光源可达350W，不仅能用于 5nm 制程 ，甚至未来可以用于 1nm 制程。
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英特尔此前已表示其第9代移动核心芯片将首次亮相第二季度这是CES 2019演示文稿中相对较小的细节，其目的是介绍其“冰湖”架构，并为其陷入困境的10nm制造节点提供稳定的路线图。然而，直到现在英特尔尚未确认H系列第9代移动部件的存在，尽管H部分出现在第7代和第8代移动系列中。如果历史成熟，我们应该在4月的第一周看到英特尔新的第9代移动核心芯片。
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英特尔的第9代移动部件基于英特尔发言人证实，在较旧的14纳米Coffee Lake架构中，包括Core i9变体。如果不出意外，向第9代移动芯片的过渡将有助于解决与第8代核心相关的混乱，其中包括mul咖啡湖和卡比湖筹码的重复迭代。然而，从第7代移动H系列部件中的4个核心到第8代H系列部件中的6个核心，连续的英特尔核心系列中的核心数量稳步增长。如果趋势继续下去，第9代核心移动芯片可能包含8个核心，也可能包含16个线程。
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Hamberger他补充说，新的第9代移动产品的目标之一是延长电池寿命。游戏玩家可能确实使用游戏笔记本进行游戏 – 你仍然无法长时间使用电池供电 – 但最常用的笔记本电脑仍然是网络游戏owsing。他说，总的来说，英特尔这次的目标是为游戏玩家提供“更全面的体验”。
正如英特尔过去所做的那样，它在很大程度上依赖于其高速Wi-Fi技术，它称为Gig +，或者特别是其Wi-Fi 6 AX200芯片。 （英特尔没有多说5G，这是其他笔记本电脑制造商称之为Always Connected PC的基础。）英特尔新的第9代平台也将与Optane结合，后者是英特尔和美光在合作解散之前开发的3D XPoint技术。
这对您意味着什么：英特尔周三在旧金山举行的游戏开发者大会上的简报主要是为了对其计划在2020年推出的独立图形处理器产生热情。（英特尔还推出了新的更新版本）图形工具，calle英特尔图形指挥中心，我们已单独介绍，并宣布与Spirit AI合作，使用语音检测来清除多人游戏中所说的有毒语音评论。）新的移动第9代核心芯片明确地在方式，您可以将新一波游戏笔记本电脑添加到我们预计的未来几个月的列表中。
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