密度较5nm提升70% 功耗降低27%TSMC3nm进度大超前 明年正式量产

TSMC 18 日于 ISSCC 2021 大会上透露了更多 TSMC 制程工艺的进展,据执行官 Mark Liu 指出 TSMC 3nm 制程技术进度超出预期,预期将会提前至 2021 年下半年正式试产、2022 年正式量产。

TSMC 18 日于 ISSCC 2021 大会上透露了更多 TSMC 制程工艺的进展,据执行官 Mark Liu 指出 TSMC 3nm 制程技术进度超出预期,预期将会提前至 2021 年下半年正式试产、2022 年正式量产。

据了解,无论是 TSMC 或是 SAMSUNG,半导体制程均已推进至 3nm 级别,技术研发基本上已完成,剩下来是产能和良率问题了,但 2nm 制程将会是 TSMC 的重大挑战,因为 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中导入 GAA 环绕闸极工艺,TSMC 做法则比较保守,选择在 2nm 制程才导入 GAA 环绕闸极工艺,所以 2nm 对 TSMC 来说将会是一次重要的技术世代。

与 5nm 制程相比, TSMC 3nm 的电晶体管密度提升70%,时脉提升 11% 或者功耗降低 27%,表现相当出色。

此外,TSMC 表示他们在 EUV 光源技术获得突破,光源可达350W,不仅能用于 5nm 制程 ,甚至未来可以用于 1nm 制程。

TSMC

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